एक कम क्षमताएसएसडीचिप ख़राब चिप है?उदाहरण के लिए, ए128जी एसएसडीचिप एक से बेहतर है120 ग्राचिप, ए256जीचिप 240G चिप से बेहतर है, और इसी तरह, बाजार में फेंकी गई ऐसी नौटंकी एक निश्चित मात्रा में मांग का कारण बनेगी।
बड़ी क्षमताएसएसडीयह डेटा भंडारण के लिए हमारी अधिक आवश्यकताओं को पूरा कर सकता है।कार्यालय कर्मियों, गेमिंग के अंतिम उपयोगकर्ताओं की तुलना में, बड़ी क्षमता बेहतर प्रदर्शन प्रदान कर सकती है, पढ़ने और लिखने की गति और 4K यादृच्छिक पढ़ने की गति दोनों।
प्रदर्शन और दीर्घायु ही मांग की शुरुआत करते हैं
हालाँकि, उपयोगकर्ता की खरीदारी की ज़रूरतें न केवल क्षमता में, बल्कि प्रदर्शन और दीर्घायु में भी निहित हैं।क्षमता की कमी इस तथ्य की ओर ले जाती हैएसएसडीजिनकी क्षमता कम बची है, उन्हें नए डेटा से भरने से पहले पुराने डेटा को मिटाने की आवश्यकता है, लेकिन इस ऑपरेशन में समय लगेगा और डेटा को मिटाने से डेटा का जीवन भी कम हो जाएगा।एसएसडीएक बार।(उदाहरण के लिए, टीएलसी की मौजूदा बाजार मुद्रा केवल 3K पूर्ण डिस्क विलोपन का सामना कर सकती है)
इसलिए, सॉलिड-स्टेट हमेशा अधिक क्षमता की खोज रही है, केवल कुछ ही लोग इस बात पर ध्यान देते हैं कि सॉलिड-स्टेट ड्राइव की क्षमता 2 की Nth शक्ति क्यों है, जैसे कि120 ग्रा, 480जी, 960 ऐसे।
पुराने दिनों में नंद फ्लैश को 2 बिट प्रति सेल के साथ डिजाइन किया गया था, एक फ्लैश सेल दो बिट डेटा संग्रहीत कर सकता है, भले ही नंद फ्लैश टीएलसी से क्यूएलसी तक विकसित हो, क्षमता अभी भी 2 की एनटी पावर है।
और प्रत्येक ठोस अवस्था में एक ओपी (ओवर-प्रोविजनिंग) आरक्षित स्थान होगा, जिसमें बाइनरी रूपांतरण द्वारा स्वाभाविक रूप से उत्पन्न प्राथमिक ओपी स्थान और आवश्यकतानुसार अतिरिक्त माध्यमिक ओपी स्थान शामिल होगा, ओपी स्थान का यह हिस्सा वास्तव में एसएसडी में मौजूद है, बस नहीं हो सकता उपयोगकर्ता द्वारा सीधे पढ़ा, लिखा और एक्सेस किया जा सकता है।
ओपी आरक्षित स्थान का उपयोग लेखन प्रदर्शन को अनुकूलित करने, लेखन प्रवर्धन को कम करने, लेखन जीवन में सुधार और अन्य उपयोगों के लिए किया जाता है।उपयोग की जरूरतों के आधार पर, उपयोगकर्ता मैन्युअल रूप से ओपी स्पेस की तीसरी परत भी जोड़ सकते हैं।
अलग-अलग लागत
सॉलिड-स्टेट ड्राइव के मूल में मुख्य रूप से मुख्य नियंत्रण, फ्लैश मेमोरी और पीसीबी होते हैं।बाजार में उपलब्ध 240G और 120G के बीच एकमात्र अंतर फ्लैश मेमोरी की मात्रा है, लेकिन लागत के मामले में, 240G की तुलना में दो 120G और एक 240G सॉलिड स्टेट एक एनक्लोजर, पीसीबी बोर्ड और मास्टर कंट्रोल की लागत से कम होगी, लेकिन यह सतह, सार या नंद फ्लैश है, जो संपूर्ण लागत का 70-80% हैएसएसडी.
मौजूदा 64-लेयर स्टैक्ड 3D प्रक्रिया के साथ, एक डाई की क्षमता 256Gbit (32GB), या यहां तक कि 512Gbit (64GB) तक पहुंच सकती है, जिसका अर्थ है कि फ्लैश कणों की समान क्षमता के लिए केवल कुछ डाई की आवश्यकता होती है।
और यह सुनिश्चित करने के लिए कि समवर्ती रूप से पढ़ने और लिखने में सक्षम होने के लिए पर्याप्त मात्रा में फ्लैश मेमोरी है, पढ़ने और लिखने के प्रदर्शन को बेहतर बनाने के लिए चैनल के फायदों का उपयोग करते हुए, बॉक्स गेज कम क्षमता वाले डाई का चयन करेगा, यही कारण है कि छोटी क्षमताएसएसडीकिसी एक डाई की क्षमता बढ़ाकर लागत कम न करें।
बड़ी क्षमता में ये परेशानियाँ नहीं होती हैं, सिद्धांत हमारे दैनिक RAID सरणी के समान है, यही कारण है कि बड़ी क्षमताएसएसडीपढ़ने और लिखने का प्रदर्शन मजबूत होता है।
पोस्ट समय: मार्च-27-2023
